来觅研究院-半导体行业：能源革命与人工智能重塑需求，功率半导体赛道投融回暖

“精选摘要：电子系统的核心部件，在新能源汽车、工业自动化、光伏发电、储能系统及消费电子等领域具有不可替代的关键作用。其核心功能在于实现电能的高效转换与控制，涵盖整流、变压、变频及功率放大等关键环节，为电力系统稳定运行提供保障。功率半导体器件具备高耐压、大电流承载能力，以及出色的热稳定性和抗干扰性能，确。”

1. 功率半导体概览功率半导体作为电力电子系统的核心部件，在新能源汽车、工业自动化、光伏发电、储能系统及消费电子等领域具有不可替代的关键作用。

2. 其核心功能在于实现电能的高效转换与控制，涵盖整流、变压、变频及功率放大等关键环节，为电力系统稳定运行提供保障。

3. 功率半导体器件具备高耐压、大电流承载能力，以及出色的热稳定性和抗干扰性能，确保其在复杂工况下仍能保持高效运行。

4. 近年来，随着全球能源结构转型与智能制造加速推进，功率半导体需求持续攀升，尤其在新能源汽车和工业设备领域，其作为电能转换核心的地位日益凸显。

5. 与此同时，功率半导体技术持续迭代升级，以满足更高频率、更大功率的应用需求。

6. 功率半导体结构简单，但分类方式多样，可以根据材料分为硅基器件、化合物器件等，也可以根据应用分为新能源汽车器件、电力电子器件、消费电子器件。

7. 还可以根据电压等级分为低压器件（<100V）、中压器件（100-1200V）、高压器件（>1200V）。

8. 一般而言，我们常根据器件类型将功率半导体分为二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等全球功率半导体市场正迎来高速增长期，在第三代半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的驱动下，市场格局持续优化。

9. 根据QYResearch《2025-2031年全球氮化镓和碳化硅功率半导体市场报告》预测，至2031年GaN和SiC功率半导体市场规模将达210.6亿美元，2025-2031年复合年增长率（CAGR）为21.0%。

10. 这一增长态势凸显了传统硅基功率器件在高效率、低损耗等性能方面的局限性，推动市场向宽禁带半导体材料转型。

11. 各国政府对绿色能源和低碳经济的政策支持，进一步加速了功率半导体在新能源汽车、光伏逆变器及数据中心等领域的渗透。

12. 功率半导体细分市场中，IGBT、MOSFET和SiC器件的市场占比呈现显著结构性调整。

13. IGBT作为电压控制型开关器件，凭借其高功率场景下的卓越性能长期占据市场主导地位。

14. 全球IGBT和超级结MOSFET市场规模将在2030年达到211亿美元，2023-2030年CAGR为10.3%。

15. 2023年该市场规模达106亿美元，充分体现其在工业控制、新能源汽车及可再生能源系统中的广泛应用。

16. MOSFET在消费电子和中小功率电源领域保持稳健增长，预计2030年市场规模将达400亿元人民币。

17. 而SiC器件则依托低损耗、高热导率和高频响应等优势快速抢占高端市场，特别是在800V电动车平台、光伏逆变器及高端电源领域渗透率持续提升，预计2030年市场规模将突破350亿元人民币。

18. 而GaN虽然在快充、射频和数据中心等领域展现差异化优势，但市场规模仍相对有限。

19. 功率半导体行业的技术迭代正从传统硅基器件向第三代半导体材料加速演进，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）凭借其高频特性、能效优势及高压耐受能力，已成为产业技术升级的核心驱动力。

20. 2024年至今，全球领先厂商持续加码SiC/GaN领域投资，推动功率半导体在新能源汽车、智能电网及数据中心等场景的规模化应用。

21. 据YoleIntelligence预测，2024-2029年全球SiC市场规模将以24%CAGR增长，从31亿欧元扩张至90亿欧元，印证市场对第三代半导体技术的强烈需求。

22. 氮化镓（GaN）技术在高频开关与功率密度提升方面展现突出潜力，正逐步实现从实验室到量产的跨越。

23. 行业领军企业安森美半导体近期取得GaN-on-Si器件量产工艺突破，该技术可利用现有硅基产线实现规模化生产，使GaN器件成本下降40%以上。

24. 此项创新显著降低了技术产业化门槛，使功率半导体厂商能快速响应数据中心、通信基站等领域对高效率、小型化器件的迫切需求。

25. 2025年8月，NVIDIA官网对800V直流电源架构合作商名录进行了更新，英诺赛科是本次入选英伟达合作伙伴中唯一的国产芯片企业。

26. 双方合作将推动该架构在AI数据中心规模化应用，使单机房算力密度提升超10倍、单机柜功率密度突破300kW，助力全球Al数据中心迈入兆瓦级供电时代。